跳转到内容

江崎玲於奈

维基百科，自由的百科全书
江崎玲於奈1973年诺贝尔物理学奖得主
摄于1959年
出生 (1925-03-12) 1925年3月12日（99岁）
 大日本帝国大阪府中河内郡高井田村（现东大阪市）
国籍 日本
母校东京帝国大学
知名于江崎二极管
量子穿隧效应
奖项仁科芳雄奖（1959）
日本学士院奖（1965）
诺贝尔物理学奖（1973）
文化勋章（1974）
IEEE荣誉奖章（1991）
日本国际奖（1998）
勲一等旭日大绶章（1998）
科学生涯
研究领域半导体物理学
凝态物理
机构川西机械制作所（日语：川西機械製作所）
IBM
筑波大学
芝浦工业大学
横滨药科大学
日语写法
日语原文江崎 玲於奈
假名えさき れおな
平文式罗马字Esaki Reona

江崎玲於奈（日语：江崎 玲於奈／えさき れおな Esaki Reona ?；英语：Leo Esaki，1925年3月12日—），日本物理学家，美国国家科学院、美国国家工程院、俄罗斯科学院外籍院士。日本学士院会员。现任横滨药科大学校长。文化勋章、勲一等旭日大绶章表彰。

江崎是诺贝尔物理学奖（1973年）暨IEEE荣誉奖章（1991年）双料得主。他借由穿隧效应发明了江崎二极体（又称穿隧效应二极体，与东京通信工业株式会社合作完成），此外也是超晶格研究的先驱（与IBM合作）。

早年生活与教育

[编辑]

江崎玲於奈在1925年出生于日本大阪中河内郡高井田村（现在的东大阪市），成长于京都。江崎家毗邻京都帝国大学与同志社大学校园，父亲江崎壮一郎是一位建筑师，哥哥是毕业于京都帝大的铁道工程师。他在同志社中学（日语：同志社中学校・高等学校）首次接触基督教与美国文化，从第三高等学校毕业后考入东京帝国大学学习物理学。他曾于1944年10月在东大参加汤川秀树开设的核子理论课，当时也曾亲历东京大轰炸。

江崎分别在1947年、1959年获得东京大学学士、博士学位。

职业生涯

[编辑]

江崎二极体

[编辑]
江崎二极体，旁边的跳线是比例尺
1959年在Sony工作的江崎玲於奈

江崎玲於奈在大学毕业后进入川西机械制作所（现富士通天）工作，起初进行由真空管的阴极放出热电子的研究工作，因受到约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿和威廉·肖克利发明电晶体的鼓舞，他转而研究重掺杂的锗和矽。1956年转入东京通信工业株式会社（现Sony）担任半导体研究室主任研究员，进行PN结二极体研究。经过一年的尝试后得知，每当锗的PN结宽度变薄时，穿隧效应就会影响电流 - 电压之特性，随著电压增加，电流反而减小，这说明了负电阻。此一发现是物理学中首次出现的固体穿隧效应，也是史上第一个量子电子器件：江崎二极体（或称隧道二极体）的诞生。由于此一突破性发明，1959年他获得了东大博士学位。

江崎在1973年因“发现半导体和超导体的穿隧效应”[1]，与挪威物理学家伊瓦尔·贾埃弗及英国物理学家布赖恩·约瑟夫森共同获得诺贝尔物理学奖。基于颁奖典礼的排序，江崎成为世界第一位从卡尔十六世·古斯塔夫国王手中接过诺贝尔奖奖章、奖状的诺贝尔奖得主。2015年3月，日本茨城吾妻（日语：吾妻 (つくば市)）2丁目的中央公园设置了江崎、小林诚、朝永振一郎的铜像，以彰显3位诺贝尔物理学奖得主的功绩[2]。

超晶格

[编辑]

江崎玲於奈在1960年移居美国，加入IBM汤玛斯·华森研究中心（英语：Thomas J. Watson Research Center），然后在1967年成为IBM院士。他预测，如果半导体晶体中人为地构建一维周期性结构变化，将可形成半导体超晶格，并引起诸如差分负电阻效应等独特现象。他开发了名为“分子束外延”的薄膜晶体生长方法，可以在超高真空中相当精确地调节。他的第一篇关于半导体超晶格的论文发表于IBM时期的1970年，他在1987年曾对这篇原始论文提出如下的注释[3]：

“《物理评论》评审因缺乏想像力而拒绝出版原始论文，认为该论文太过投机性，没有崭新的物理思想。” 然而，这个想法很快就被美国陆军研究办公室所接受[4]

1972年，江崎在III-V族半导体中实现了他的超晶格概念，后来这个概念影响了许多领域，如金属和磁性材料。他因“对隧道、半导体超晶格和量子井的贡献和领导”荣获1991年IEEE荣誉奖章[5]，也因“创造和实现人造超晶格晶体的概念，致发新材料的生成与有效的应用”荣获1998年日本国际奖[6]。赤崎勇、天野浩、中村修二获得2014年诺贝尔物理学奖后，江崎翌日（10月8日）与赤崎进行电话会谈，他们讨论了彼此发明的社会影响力，也提到“日本人特有的毅力”是成功的重要原因[7]。2015年5月3日，中村在与JAXA负责人川口淳一郎（日语：川口淳一郎）的对谈中自称“尤其尊敬的人物”是江崎。江崎发明的超晶格对LED至为重要[8]。

返日后的活动

[编辑]

江崎玲於奈在1992年返日担任筑波大学校长（至1998年），2000年担任一届芝浦工业大学校长，并应首相之邀加入教育改革国民会议（日语：教育改革国民会議）。2003年担任奈米技术科学奖“江崎玲於奈奖（日语：江崎玲於奈賞）”的选考委员。2006年以来担任横滨药科大学的校长。

荣誉

[编辑]

所属科学院

[编辑]

轶事

[编辑]

江崎玲於奈是少数不以日语罗马化作为外语姓名的日本人。他新起“Leo”一名取代日语原名的“Reona”（玲於奈）。亦即，在汉字系统以外，通行“Leo Esaki”此一姓名。

参考

[编辑]
  1. ^ The Nobel Prize in Physics 1973. Nobel Foundation. [2008-10-09]. （原始内容存档于2011-06-27）. 
  2. ^ ノーベル赏:江崎、小林、朝永氏の铜像やレリーフ设置　完成记念式でお披露目　“子どもが梦を”−−つくば・中央公园　／茨城 - 毎日新闻 互联网档案馆的存档，存档日期2015-04-24.
  3. ^ Esaki, L.; Tsu, R. Superlattice and Negative Differential Conductivity in Semiconductors. IBM Journal of Research and Development. 1970, 14: 61. doi:10.1147/rd.141.0061. 
  4. ^ "This Weeks's Citation Classic", Current Contents No 28, July 13, 1987.
  5. ^ https://web.archive.org/web/20150422004457/http://www.ieee.org/documents/moh_rl.pdf
  6. ^ 存档副本. [2017-10-20]. （原始内容存档于2021-03-08）. 
  7. ^ 【ノーベル物理学賞】赤崎氏と江崎玲於奈氏対談　「皆さん、耳を傾けるようになります」（1/2ページ） - 産経ニュース. [2015-04-23]. （原始内容存档于2021-01-07）. 
  8. ^ 科学の魅力:中村修二教授と川口淳一郎シニアフェロー座談会全文 - 毎日新聞. [2015-04-23]. （原始内容存档于2015-04-21）. 

文献

[编辑]
  • Large scale integrated circuits technology : state of the art and prospects : proceedings of the NATO Advanced Study Institute on "Large Scale Integrated Circuits Technology: State of the Art and Prospects," Erice, Italy, July 15–27, 1981 / edited by Leo Esaki and Giovanni Soncini (1982)
  • Highlights in condensed matter physics and future prospects / edited by Leo Esaki (1991)
  • “时代の证言者”江崎玲於奈，读卖新闻
  • “真空管から半导体への“トンネル”の思い出”江崎玲於奈，‘日本の物理学史’ pp. 478-496

参见

[编辑]

外部链接

[编辑]
检索自“https://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=江崎玲於奈&oldid=84839307”