硅酸鉿
| 硅酸鉿 | ||
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| IUPAC名 Hafnium(IV) silicate | ||
| 系統名 Hafnium(4+) silicate | ||
| 識別 | ||
| CAS號 | 13870-13-8 
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| PubChem | 17979268 | |
| ChemSpider | 16470992 | |
| SMILES |
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| 性質 | ||
| 化學式 | HfO4Si | |
| 摩爾質量 | 270.57 g·mol−1 | |
| 外觀 | 四方晶體[1] | |
| 密度 | 7.0 g/cm3 | |
| 熔點 | 2758 °C（3031 K）（[1]） | |
| 若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。 | ||
在現代半導體元件中，可以使用由原子層沉積、化學氣相沉積或MOCVD生長的硅酸鉿和硅酸鋯薄膜，作為高κ電介質替換二氧化鈦[2]。二氧化鉿中的硅增大了能隙，同時降低相對電容率。此外，它還提高了非晶膜的結晶化溫度，並進一步增強了材料在高溫下與硅的熱穩定性[3]。有時會向硅酸鉿中加入氮以提高熱穩定性和設備的電性能。
參考資料
[編輯]- ^ 1.0 1.1 Haynes, William M. CRC handbook of chemistry and physics: a ready-reference book of chemical and physical data 92nd. Boca Raton, FL.: CRC Press. 2011: 4-66. ISBN 978-1-4398-5511-9. OCLC 730008390 （英語）.
- ^ Mitrovic, I.Z.; Buiu, O.; Hall, S.; Bungey, C.; Wagner, T.; Davey, W.; Lu, Y. Electrical and structural properties of hafnium silicate thin films. Microelectronics Reliability. April 2007, 47 (4-5): 645–648 [2015-04-11]. doi:10.1016/j.microrel.2007.01.065. （原始內容存檔於2015-09-24）.
- ^ J.H. Choi; et al. Development of hafnium based high-k materials—A review. Materials Science and Engineering: R. 2011, 72 (6): 97–136 [2015-04-11]. doi:10.1016/j.mser.2010.12.001. （原始內容存檔於2015-09-24）.
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