氮化铝铟镓
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| 氮化铝铟镓 | |
|---|---|
| 性质 | |
| 化学式 | AlxGayInzN（0<x,y,z<1） |
| 若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。 | |
氮化铝铟镓（AlGaInN）是以氮化镓为基础的化合物半导体，是氮化镓、氮化铝、氮化铟的混合物，常用磊晶成长的方式制成，像是有机金属化学气相沉积法（MOCVD）、分子束外延（MBE）、脉冲激光沉积（PLD）等方式[来源请求]。此材料用在特别的光电应用中，像是蓝光激光LED及蓝光LED等。
相关条目
[编辑]参考资料
[编辑]外部链接
[编辑]- E. Fred Schubert. Light-Emitting Diodes. Cambridge University Press. 2012-09-05 [2024-12-05]. ISBN 9780511790546.（13 - The AlGaInN material system and ultraviolet emitters）
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