李志堅 (電子學家)
關於名為李志堅的其他人物，請見「李志堅」。| 李志堅 | |
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| 性別 | 男 |
| 出生 | 1928年5月1日 浙江寧波 |
| 逝世 | 2011年5月2日（83歲） 北京 |
| 國籍 |  中華人民共和國 |
經歷
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李志堅（1928年5月1日—2011年5月2日），男，浙江寧波人，中國電子學家，中國科學院院士，清華大學微電子學研究所原所長。[1][2]
生平
[編輯]1951年，畢業於浙江大學物理系，獲分配到上海同濟大學任教。1958年，獲蘇聯列寧格勒大學科學副博士學位。曾長期任清華大學微電子學研究所所長、教授。1991年，被選為中國科學院院士。
社會兼職
[編輯]曾任清華大學信息科學與技術學院學術委員會委員，中國電子學會榮譽會員，國家科學技術名詞委員會委員，中國微納米技術學會名譽副理事長，《電子學報》、《半導體學報》和《傳感技術學報》編委。
曾擔任國際固體器件與集成電路技術（IC SICT93,95）、固體材料與器件（ssdm95,98－2004）、國際電子、電氣工程師學會第十區會議（TECON96）等諸多國際學術會議的大會主席、程序委員會委員或國際顧問委員會委員等。
學術貢獻
[編輯]1953年，開始半導體研究，曾成功提出薄膜光導體的晶粒電子勢壘理論，對中國早期半導體器件製造技術發展做出了重大貢獻。60年代初，研製出超純多晶矽合金矽電晶體、高反壓平面電晶體。對MOS結構和Si/SiO2界面物理有深入研究。1965年，開始集成電路的研究。80年代，主持研製成功2KEEPROM、16K位SRAM、16位微處理器等VLSI晶片。90年代，致力於半導體系統集成晶片技術的研究和開發，有多項成果。
在電子學領域持有多項美國專利。
獎項和榮譽
[編輯]- 在半導體結構和界面物理領域，曾獲中國國家教委科技進步獎。
- 「3微米VLSI成套工藝技術和集成電路研究」，獲1987年中國國家科技進步二等獎。
- 「1～1.5微米VLSI-CMOS工藝及1兆位漢字庫ROM」，獲1995年國家科技進步二等獎。
- 「超大規模集成電路（VLSI）快速熱處理技術和設備」，參與並獲1990年國家發明二等獎。
- 1997年度陳嘉庚信息科學獎。
- 2000年度「何梁何利」科技進步獎。
參考
[編輯]- ^ 張品興, 殷登祥, 陳有進等主編. 中华当代文化名人大辞典. 北京: 中國廣播電視出版社. 1992. ISBN 9787504315137.
- ^ 許力以, 周誼主編. 百科知识数据辞典. 青島: 青島出版社. 2008.
