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前道工序

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BEOL （金屬化層）和FEOL （器件）。
CMOS製造工藝

前道工序（front-end-of-line，FEOL）是IC製造的第一部分，其中各個元件（晶體管、電容器、電阻器等）在半導體中進行圖案化。[1] FEOL通常涵蓋（但不包括）金屬互連層沉積之前的所有內容。[2][3]

對於CMOS工藝，FEOL包含形成隔離CMOS元件所需的所有製造步驟： [4]

  1. 選擇要使用的晶圓類型；晶圓的化學機械平坦化和清潔。
  2. 淺溝槽隔離(STI)（或早期工藝中的矽局部氧化（英語：LOCOS） ，特徵尺寸>0.25 μm）
  3. 井區形成（Well formation）
  4. 柵極模塊形成
  5. 源極和漏極模塊形成

相關

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參考

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  1. ^ Karen A. Reinhardt and Werner Kern. Handbook of Silicon Wafer Cleaning Technology 2nd. William Andrew. 2008: 202. ISBN 978-0-8155-1554-8. 
  2. ^ FEOL (Front End of Line: substrate process, the first half of wafer processing) 1. Isolation | USJC：United Semiconductor Japan Co., Ltd.. USJC：United Semiconductor Japan Co., Ltd. | 三重県桑名市の300mm半導體ウェーハ工場を製造拠點にしたファウンドリ専業メーカーです。超低消費電力、不揮発メモリなど先進テクノロジーを世界中のお客様に提供しています。. 2019-02-22 [2022-09-27]. （原始內容存檔於2023-09-26） （日語）. 
  3. ^ CMOS. 1: Circuit design, layout, and simulation / R. Jacob Baker. 3. ed. Piscataway, NJ: IEEE Press. 2010. ISBN 978-0-470-88132-3.  缺少或|title=為空 (幫助)
  4. ^ Ramsundar, Bharath. A Deep Dive into Chip Manufacturing: Front End of Line (FEOL) Basics. deepforest.substack.com. [2022-09-27]. （原始內容存檔於2022-10-16） （英語）. 
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