外延 (晶体)
| “外延 (晶体)”的各地常用名称 | |
|---|---|
| 中国大陆 | 外延 |
| 台湾 | 磊晶[1] |
磊晶（英语：Epitaxy），是指一种用于半导体器件制造过程中，在原有晶片上长出新结晶以制成新半导体层的技术。此技术又称外延成长（Epitaxial Growth），或指以外延技术成长出的结晶，有时可能也概指以外延技术制作的晶粒。
外延技术可用以制造矽电晶体到CMOS积体电路等各种元件，尤其在制作化合物半导体例如砷化镓磊晶晶圆时，外延尤其重要。
外延成长技术的种类
[编辑]- 化学气相沉积
- 分子束外延技术：在高度真空下在表面沉积新的半导体结晶层的磊晶技术，相关可见真空蒸镀技术。
- 液相外延或称液态外延（英语：Liquid Phase Epitaxy, LPE）的磊晶技术
- 固相外延（英语：Solid Phase Epitaxy, SPE）的磊晶技术
参考来源
[编辑]- 文献
- Jaeger, Richard C. Film Deposition. Introduction to Microelectronic Fabrication 2nd. Upper Saddle River: Prentice Hall. 2002. ISBN 0-201-44494-1.
- 引用
外部链接
[编辑]
维基共享资源中相关的多媒体资源：
- epitaxy.net（页面存档备份，存于互联网档案馆）: a central forum for the epitaxy-communities
- Deposition processes（页面存档备份，存于互联网档案馆）