14纳米制程

14纳米制程是半导体制造制程的一个水准。最早的14纳米器件是由英特尔于2014年制造。在14纳米中，使用了多重图形曝光模式。

2014年9月，英特尔推出第一代14nm处理器，采用Broadwell微架构。^[1]

参考文献

^ Shvets, Anthony. Intel launches first Broadwell processors. CPU World. 7 September 2014 [18 March 2015]. （原始内容存档于2015-03-16）.

先前 22纳米制程	半导体器件制造制程	其后 10纳米制程

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半导体器件制造

金属氧化物半导体场效晶体管
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
未来 002 nm ~ 2024
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