800纳米制程

800纳米制程，又称0.8微米制程，是半导体制造制程的一个水平，大约于1989年至1990年左右达成。^[1]^[2] 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔和IBM所完成。

0.8微米制程的产品

^ Mueller, S. Microprocessors from 1971 to the Present. informIT. 2006-07-21 [2012-05-11]. （原始内容存档于2015-04-27）.
^ Myslewski, R. Happy 40th birthday, Intel 4004!. TheRegister. 2011-11-15 [2015-04-19]. （原始内容存档于2015-04-27）.

先前 1微米制程	半导体器件制造制程	其后 600纳米制程

半导体器件制造

金属氧化物半导体场效晶体管
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
未来 002 nm ~ 2024
晶体管数量互补式金属氧化物半导体半导体器件（多闸极晶体管）摩尔定律晶体管数量半导体半导体产业纳电子学
查论编