鳍式场效应管
鳍式场效应管[1]（英语：Fin Field-Effect Transistor，简称：FinFET），是一种新的互补式金氧半导体晶体管，通过栅将极放置在导电沟道的两侧、三侧或四侧或环绕沟道（栅极四周），形成双栅极或多栅极结构，以改善电路对导体的控制，并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。[2]FinFET是一种立体的场效应管，属于多栅极晶体管。
当晶体管的尺寸小于25纳米以下，传统的平面场效应管的尺寸已经无法缩小。FinFET的主要思想是将场效应管立体化。
来自TSMC的胡正明博士在其研究中首次披露了该技术的可行性以及其性能相较于传统的平面型场效应晶体管的优势[3]，并在2020年因该项技术获得IEEE荣誉勋章。[4]
2011年，英特尔已经推出商业化的22纳米FinFET。[5]
在2018年2月开始，中国科学院微电子研究所就该技术涉及该所的部分专利对英特尔提出侵权诉讼，而英特尔多次反制，向中美两国的知识产权管理部门申请专利无效审议或复审，但均告失败，2020年7月28日，国家知识产权局口头受理了该次申请无效审议。[6]
参考资料
[编辑]- ^ 存档副本. [2023-02-06]. （原始内容存档于2023-02-06）.
- ^ 中芯国际集成电路制造有限公司首次公开发行人民币普通股（A股）股票并在科创板上市招股说明书 (PDF). 上海交易所科创板. [2020-06-03]. （原始内容存档 (PDF)于2020-06-03）.
- ^ FinFET-一种可扩展至 20 nm 的自对准双栅极 MOSFET |IEEE期刊和杂志 |IEEE Xplore
- ^ FinFET 之父如何帮助拯救摩尔定律 - IEEE Spectrum
- ^ Wen-Chin Lee， Kedzierski, J. ，Takeuchi, H. ，Asano, K. ，Kuo, C. ， Anderson, E.， Tsu-Jae King，Bokor, J. ， Chenming Hu．FinFET-a self-aligned double-gate MOSFET scalable to 20 nm：IEEE Transactions on Electron Devices，2000：2320 - 2325
- ^ cnBeta. 英特尔被控侵犯中科院微电子所FinFET专利 赔偿或超2亿元 - Intel 英特尔. cnBeta.COM. [2020-08-11]. （原始内容存档于2020-08-08） （中文（中国大陆））.
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