齐纳二极管

齐纳二极管在电路图中的符号

齐纳二极管的电流电压关系图，在此显示击穿电压为17伏特。在此须注意的是，正向偏置（正方向）与反向偏置（负方向）电压数值的比例大小。通常可承受的正向偏置为0.65～0.7伏特；当电流约为1毫安培时，电压为约为0.65伏特。

齐纳二极管（英语：Zener diode），是利用二极管在反向偏置运作下的齐纳效应制成的一种电子器件器件。由于具有稳定电压功能，因此又称为“稳压二极管”（英语：regulator diode）。

齐纳二极管的名称是取自美国理论物理学家克拉伦斯·梅尔文·齐纳，他首先阐述了绝缘体的电击穿特性，后来贝尔实验室运用这项发现，开发出此种二极管，并以齐纳作为命名以兹纪念。

基本原理

参见：二极管和PN结

一般二极管正向导通时电压可维持在0.7V，可提供稳定的电压，但如果我们需要更大的电压时，则需串联很多的二极管，使用上不是很方便。但观察二极管反向偏置很大时，所发生的击穿现象，此现象和正向导通时情况类似，都有稳压稳流的特性。因此，利用这个特性发明了这种特殊的二极管——齐纳二极管，特别用在反向偏置的击穿范围。通常齐纳二极管掺杂浓度为$1:10^{5}$。

与一般二极管有何异同

齐纳二极管的正向偏置和一般二极管相同，但是其反向击穿电压（又称齐纳电压）的范围远大于一般的二极管，能承受比一般二极管更高的电压，而且齐纳二极管的反向电压操作是可逆的。常见的齐纳电压从3伏特到100伏特。

优点

齐纳二极管可以简化电路，如上所说，如果需要多颗二极管串联的电路，则可以用齐纳二极管来简化电路。齐纳二极管的这些特性，在电压比较器、直流稳压电源等方面有广泛的应用。

参见

• 线性调节器
• 二极管
• PN结

参考文献

• 施敏; 伍国珏; 译者：张鼎张、刘柏村. 半導體元件物理學(上冊). 台湾: 国立交通大学. 2008-08-01 [2008]. ISBN 978-986-843-951-1 （中文）.  （繁体中文）
• 施敏; 伍国珏; 译者：张鼎张、刘柏村. 半導體元件物理學(下冊). 台湾: 国立交通大学. 2009-04-14 [2009]. ISBN 978-986-843-954-2 （中文）.  （繁体中文）