萨支唐
（重定向自萨支唐）
| 萨支唐 | |
|---|---|
| 性别 | 男 |
| 出生 | 1932年11月10日 中华民国北平市 |
| 国籍 | 中华民国 |
萨支唐（1932年11月10日—），美国华裔物理学家，主要从事微电子学研究。目前是美国佛罗里达大学教授，也是美国工程院院士、中央研究院院士、中国科学院外籍院士。
生平
[编辑]萨支唐籍贯中国福建省福州市，1932年生于北平。萨支唐是福州萨氏家族成员，是元代蒙古官员萨都剌后裔，其父萨本栋是第一届中央研究院院士、厦门大学前校长。[1]萨支唐于1949年赴美国就读于伊利诺伊大学，1953年获得学士学位后又到斯坦福大学学习，并于1956年在斯坦福大学获得博士学位。1956年起，他跟随肖克利在工业界共同从事固态电子学方面的研究，1959年至1964年供职于仙童公司。1964年他来到伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校任物理系和电子及计算机系教授达26年，培养出40名博士。1988年起，他在佛罗里达大学担任教授至今。他还有一位弟弟萨支汉是纽约州立大学石溪分校的数学教授。[2]
学术成就
[编辑]在仙童公司期间，萨支唐带领一个64人的研究组从事第一代硅基二极管、MOS晶体管和集成电路的制造工艺研究，是半导体工业先驱之一。他提出了半导体PN结中电子-空穴对复合理论（generation of electron-hole pair），和其他科学家共同开发出MOS、CMOS场效应晶体管，还提出了MOS晶体管模型。此外，他还发明了深能级瞬态谱（deep level transient spectroscopy，DLTS）方法用于探测半导体内的缺陷。目前他的研究方向主要是在亚微米MOS晶体管的可靠性研究。目前，萨支唐已发表了大约280篇学术论文，并应邀做了约170次学术演讲。[3][4][5]
参考文献
[编辑]- ^ 萨本栋 互联网档案馆的存档，存档日期2011-07-07., 北京大学医学部网站
- ^ Chih-Han Sah （页面存档备份，存于互联网档案馆）, American Mathematical Society
- ^ 我校聘请萨支唐教授为名誉教授 互联网档案馆的存档，存档日期2008-05-31.，清华新闻网
- ^ Fundamentals of Solid-State Electronics, Chih-Tang Sah. World Scientific, first published 1991, reprinted 1992, 1993 (pbk), 1994, 1995, 2001, 2002, 2006, ISBN 9810206372. -- ISBN 9810206380 (pbk).
- ^ Accuracy of Long-Wide Channel Thick-Base MOS Transistor Models, B.B. Jie and Chih-Tang Sah, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.54, no.8, August 2007.
民国八十七年（1998年）当选 | |
| 数理科学组 5人 | |
| 生命科学组 7人 | |
| 人文及社会科学组 6人 | |
| 工程科学组 5人 | |
